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產(chǎn)品中心

分立器件晶圓集成電路

汽車(chē)

小信號(hào)開(kāi)關(guān)二極管
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MOSFET
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功率穩(wěn)壓管
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整流器件

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快恢復(fù)二極管
超高效整流二極管
超快恢復(fù)二極管
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汽車(chē)電子整流器件
整流二極管快恢復(fù)二極管肖特基二極管

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瞬態(tài)抑制二極管
晶閘浪涌保護(hù)器
靜電保護(hù)二極管
穩(wěn)壓管

可控硅
單向可控硅雙向可控硅

汽車(chē)電子保護(hù)器件
瞬態(tài)抑制二極管靜電保護(hù)二極管功率穩(wěn)壓管

小信號(hào)

小信號(hào)開(kāi)關(guān)二極管
小信號(hào)肖特基二極管
小信號(hào)穩(wěn)壓管
小信號(hào)三極管
小信號(hào)數(shù)字三極管
功率三極管

汽車(chē)電子小信號(hào)
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MOSFET

ALL MOSFET
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高壓MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET SiC MOSFET Planner MOSFET

中低壓MOSFET(12V-400V)
N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
Complementary MOSFET Dual N-Channel MOSFET Dual P-Channel MOSFET Half-bridge MOSFET

SiC

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SiC MOSFET單管
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SiC MOSFET模塊
汽車(chē)SiC肖特基二極管
汽車(chē)SiC MOSFET

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IGBT模塊
IGBT單管
IGBT汽車(chē)電子

模塊

整流模塊
快恢復(fù)模塊
肖特基模塊
晶閘管模塊
晶閘管混合模塊

平板型分立器件

普通晶閘管
快速晶閘管
雙向晶閘管
普通整流管
快恢復(fù)整流管
焊接整流管

4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
汽車(chē)電子芯片

6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防護(hù)芯片

8寸晶圓

集成電路

負(fù)載開(kāi)關(guān)
線性穩(wěn)壓器
并聯(lián)式電壓基準(zhǔn)
開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品參照

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新品發(fā)布

SOT-227 FJ封裝車(chē)載模塊

SOT-227 FJ封裝車(chē)載模塊 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 1.FJ封裝體積小，可集成于車(chē)載功能部件；
2.FJ產(chǎn)品采用環(huán)保物料，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)；
3.FJ產(chǎn)品正向壓降低、浪涌能力強(qiáng)、功率損耗低、效率高；
4.FJ產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于車(chē)載OBC系統(tǒng)。

產(chǎn)品特點(diǎn) 1.正向浪涌能力強(qiáng)：SOT-227 FJ封裝采用較大余量的芯片，以MD50HV16FJ產(chǎn)品為例，單顆芯片的尺寸為5.81mm*5.81mm, 理論上的通流能力在33A，超出我們標(biāo)稱(chēng)電流25A的30%，所以產(chǎn)品擁有更強(qiáng)的浪涌能力和更強(qiáng)的抗沖擊能力。
2.散熱性能強(qiáng)：SOT-227 FJ封裝采用陶瓷覆銅基板焊接在2mm厚的銅板上，相比傳統(tǒng)的塑封單管熱阻更小，散熱能力更強(qiáng)。
3.安裝方便，封裝體積?。簜鹘y(tǒng)模式的4顆塑封單管組成的AC-DC電路，對(duì)安裝空間要求較大，且線路布局也存在接口多不易形成集成化的缺點(diǎn)。使用SOT-227 FJ封裝模塊可以使4顆芯片集成于一只產(chǎn)品，引出AC、DC各2個(gè)端子，在線路布局上可以盡可能簡(jiǎn)化，極大的方便了安裝及應(yīng)用。

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