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產(chǎn)品中心

分立器件晶圓集成電路

汽車(chē)

小信號(hào)開(kāi)關(guān)二極管
小信號(hào)肖特基二極管
小信號(hào)穩(wěn)壓管
小信號(hào)三極管
整流二極管
快恢復(fù)二極管
肖特基二極管
瞬態(tài)抑制二極管
靜電保護(hù)二極管
MOSFET
功率三極管
小信號(hào)數(shù)字三極管
功率穩(wěn)壓管
SiC汽車(chē)電子
IGBT汽車(chē)電子

整流器件

整流橋
普通整流二極管
快恢復(fù)二極管
超高效整流二極管
超快恢復(fù)二極管
肖特基二極管
光伏二極管

汽車(chē)電子整流器件
整流二極管快恢復(fù)二極管肖特基二極管

保護(hù)器件

瞬態(tài)抑制二極管
晶閘浪涌保護(hù)器
靜電保護(hù)二極管
穩(wěn)壓管

可控硅
單向可控硅雙向可控硅

汽車(chē)電子保護(hù)器件
瞬態(tài)抑制二極管靜電保護(hù)二極管功率穩(wěn)壓管

小信號(hào)

小信號(hào)開(kāi)關(guān)二極管
小信號(hào)肖特基二極管
小信號(hào)穩(wěn)壓管
小信號(hào)三極管
小信號(hào)數(shù)字三極管
功率三極管

汽車(chē)電子小信號(hào)
小信號(hào)開(kāi)關(guān)二極管小信號(hào)肖特基二極管小信號(hào)穩(wěn)壓管小信號(hào)三極管功率三極管小信號(hào)數(shù)字三極管

MOSFET

ALL MOSFET
汽車(chē)電子MOSFET

高壓MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET SiC MOSFET Planner MOSFET

中低壓MOSFET(12V-400V)
N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
Complementary MOSFET Dual N-Channel MOSFET Dual P-Channel MOSFET Half-bridge MOSFET

SiC

SiC肖特基二極管單管
SiC MOSFET單管
SiC二極管模塊
SiC MOSFET模塊
汽車(chē)SiC肖特基二極管
汽車(chē)SiC MOSFET

IGBT

IGBT模塊
IGBT單管
IGBT汽車(chē)電子

模塊

整流模塊
快恢復(fù)模塊
肖特基模塊
晶閘管模塊
晶閘管混合模塊

平板型分立器件

普通晶閘管
快速晶閘管
雙向晶閘管
普通整流管
快恢復(fù)整流管
焊接整流管

4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
汽車(chē)電子芯片

6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防護(hù)芯片

8寸晶圓

集成電路

負(fù)載開(kāi)關(guān)
線性穩(wěn)壓器
并聯(lián)式電壓基準(zhǔn)
開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品參照

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新品發(fā)布

SGT N80-85V Power MOSFET

SGT N80-85V Power MOSFET 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹揚(yáng)杰科技最新推出的N80-85V SGT系列MOSFET，采用SGT(Shield Gate Trench MOSFET) MOSFET結(jié)構(gòu)及工藝制造方法，具有傳統(tǒng)Trench MOSFET低導(dǎo)通損耗的優(yōu)點(diǎn)，同時(shí)具有更低的開(kāi)關(guān)損耗。 SGT MOSFET作為開(kāi)關(guān)器件，廣泛應(yīng)用于新能源電動(dòng)車(chē)BMS、逆變電源系統(tǒng)、電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)及其他電源管理系統(tǒng)，是其核心的功率控制部件。除傳統(tǒng)TO系列封裝外，采用Copper Clip封裝工藝的DFN5060產(chǎn)品也即將推出。揚(yáng)杰科技目前已推出N40V,N60V,N80-85V,N85V,N100V,N120V多個(gè)電壓平臺(tái)的系列化解決方案,供客戶根據(jù)實(shí)際需求靈活選擇。

產(chǎn)品特點(diǎn) 1、采用SGT工藝，極低的Rdson和優(yōu)異的開(kāi)關(guān)特性，帶來(lái)更低的FOM，減小系統(tǒng)損耗。
2、和傳統(tǒng)Trench工藝比Ciss/Qg參數(shù)都有大幅優(yōu)化，設(shè)計(jì)MOSFET驅(qū)動(dòng)時(shí)有更多選擇。
3、針對(duì)系統(tǒng)應(yīng)用中的各種異常工作狀態(tài)，優(yōu)化MOS產(chǎn)品EAS特性，提高系統(tǒng)可靠性。

規(guī)格書(shū)

YJP120G08A YJP118G08H YJG100G08E YJG100G08A YJD110G08A YJB120G08A YJB118G08H

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