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產(chǎn)品中心

分立器件晶圓集成電路

汽車

小信號(hào)開(kāi)關(guān)二極管
小信號(hào)肖特基二極管
小信號(hào)穩(wěn)壓管
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整流二極管
快恢復(fù)二極管
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MOSFET
功率三極管
小信號(hào)數(shù)字三極管
功率穩(wěn)壓管
汽車SiC肖特基二極管
汽車SiC MOSFET
IGBT汽車電子

整流器件

整流橋
普通整流二極管
快恢復(fù)二極管
超高效整流二極管
超快恢復(fù)二極管
肖特基二極管
光伏二極管

汽車電子整流器件
整流二極管快恢復(fù)二極管肖特基二極管

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瞬態(tài)抑制二極管
晶閘浪涌保護(hù)器
靜電保護(hù)二極管
穩(wěn)壓管

可控硅
單向可控硅雙向可控硅

汽車電子保護(hù)器件
瞬態(tài)抑制二極管靜電保護(hù)二極管功率穩(wěn)壓管

小信號(hào)

小信號(hào)開(kāi)關(guān)二極管
小信號(hào)肖特基二極管
小信號(hào)穩(wěn)壓管
小信號(hào)三極管
小信號(hào)數(shù)字三極管
功率三極管

汽車電子小信號(hào)
小信號(hào)開(kāi)關(guān)二極管小信號(hào)肖特基二極管小信號(hào)穩(wěn)壓管小信號(hào)三極管功率三極管小信號(hào)數(shù)字三極管

MOSFET

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汽車電子MOSFET

高壓MOSFET(500V-1000V)
SJ MOSFET SiC MOSFET Planner MOSFET

中低壓MOSFET(12V-400V)
N-Channel MOSFET P-Channel MOSFET

NP MOSFET(12V-300V)
Complementary MOSFET Dual N-Channel MOSFET Dual P-Channel MOSFET Half-bridge MOSFET

SiC

SiC肖特基二極管單管
SiC MOSFET單管
SiC二極管模塊
SiC MOSFET模塊
汽車SiC肖特基二極管
汽車SiC MOSFET

IGBT

IGBT模塊
IGBT單管
IGBT汽車電子

模塊

整流模塊
快恢復(fù)模塊
肖特基模塊
晶閘管模塊
晶閘管混合模塊
壓接整流模塊
壓接晶閘管模塊
壓接晶閘管混合模塊

平板型分立器件

普通晶閘管
快速晶閘管
雙向晶閘管
普通整流管
快恢復(fù)整流管
焊接整流管

4/5寸晶圓

STD整流芯片
FRD芯片
EPI外延片
TVS芯片
HVB高壓模塊雪崩芯片
汽車電子芯片

6寸晶圓

TSBD芯片
PSBD芯片
FRED芯片
LBD芯片
PMBD芯片
ESD防護(hù)芯片

8寸晶圓

集成電路

負(fù)載開(kāi)關(guān)
線性穩(wěn)壓器
并聯(lián)式電壓基準(zhǔn)
開(kāi)關(guān)電源轉(zhuǎn)換器

產(chǎn)品參照

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新品發(fā)布

超薄省空間，散熱開(kāi)“外掛”，SOD-323HE封裝TVS上新

超薄省空間，散熱開(kāi)“外掛”，SOD-323HE封裝TVS上新 返回

新產(chǎn)品宣告

產(chǎn)品介紹 1.散熱性能優(yōu)：背部Pad面積大，對(duì)比SOD-123FL散熱路徑更改，由原來(lái)的引腳散熱更改為背部金屬板Pad散熱，金屬散熱面積增大89%
2.封裝外形?。罕萐OD-123HE封裝長(zhǎng)度降低56%，寬度降低56%，滿足封裝小型化的發(fā)展趨勢(shì)

產(chǎn)品特點(diǎn) 1. 超薄封裝外形，可應(yīng)用于小型化、薄型化電路；
2. 封裝底面帶有散熱片，散熱性能優(yōu)；
3. 產(chǎn)品采用環(huán)保物料，符合RoHS標(biāo)準(zhǔn)；
4. 產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于次級(jí)整流電路，轉(zhuǎn)換器，續(xù)流二極管，交/直流電源防護(hù)等。

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