• <em id="gjnbm"></em>
    <em id="gjnbm"></em>
      <delect id="gjnbm"><acronym id="gjnbm"></acronym></delect>

      <acronym id="gjnbm"><ruby id="gjnbm"></ruby></acronym>
        中文 EN
        首頁
        關于我們
        新品發(fā)布
        用于以太網供電(PoE/PoE+)的N150V SGT MOSFETs新品
        用于以太網供電(PoE/PoE+)的N150V SGT MOSFETs新品 返回
        新產品宣告

        產品介紹 以太網供電協(xié)議(PoE) 推出多年,新標準IEEE 802.3bt 2018 年批準出臺,提升了可通過雙絞以太網線傳輸?shù)淖畲蠊β省4偈沽诵?PoE 應用追求更高的功率密度。目前供電設備 (PSE) 最高可提供 100W 功率,并且支持 8 個不同的功率等級;用電設備 (PD) 將最高可以使用 71W 功率。揚杰科技針對IEEE802.3af&at&bt推出N150V系列化產品,采用SGT技術,相比于傳統(tǒng)Trench MOS產品擁有更高的開關速度以及更低損耗。
        產品特點 1.采用SGT技術,產品內阻低,開關特性優(yōu)異
        2.PDFN5060、SO-8、TO252、ITO220AB多個封裝可選
        3.適用于IEEE802.3af&at&bt 協(xié)議PD電源
        規(guī)格書

        YJD18G15A YJG15G15A YJG60G15HJ YJS05G15A

        相關新品

        小信號DFN1006-3L新封裝

        用于以太網供電(PoE/PoE+)的N150V SGT MOSFETs新品

        SOD-123HE瞬態(tài)抑制二極管

        整流橋設計優(yōu)化新封裝GBU-L

        用于漏電保護的小功率可控硅

        用于負載開關的P 40V Trench新品

        120V SGT工藝N-Channel MOSFET

        LowVcesat 3A雙極晶體管新產品發(fā)布

        IGBT 高性能微溝槽單管產品——光儲充新能源應用

        IGBT變頻器應用系列C2&E3模塊

        Privacy Cookies 本網站使用瀏覽器紀錄 Cookies 來優(yōu)化您的使用體驗,相關信息請訪問我們的法律聲明與隱私聲明。如果您選擇繼續(xù)瀏覽這個提示,便表示您已接受我們網站的使用條款。

        日本三级香港三级三级人 妇久,亚洲v欧美v日韩v国产v在线,一区二区三级片毛片,国产午夜无码精品免费看片
      • <em id="gjnbm"></em>
        <em id="gjnbm"></em>
          <delect id="gjnbm"><acronym id="gjnbm"></acronym></delect>

          <acronym id="gjnbm"><ruby id="gjnbm"></ruby></acronym>